PANJIT、600V/650VスーパージャンクションMOSFETの新シリーズを発売

電源ユニット（PSU）で高効率・高性能を実現

PANJITは、第1世代のスーパージャンクションMOSFETを新たに発売します。シンプルで効率的な設計ソリューションを実現できる特性を活かし、各種アプリケーションにおけるPSUシステムやさまざまなトポロジのDC-DCコンバータ、力率改善回路（PFC）に最適なソリューションとなります。PANJITが今回開発した新製品は、主に電源ユニット（PSU）に応用でき、AC-DCコンバータやDC-DCコンバータなど、コンシューマおよび産業制御用の電力変換システムに広く適用できます。スーパージャンクションMOSFETにMulti Epi Layer技術を適用し、抵抗の低下により導通損失を低減することで、より高出力のシステムにおけるスーパージャンクションMOSFETの適用を可能にしています。PANJITの次世代スーパージャンクションMOSFETは、電気通信、サーバ、データセンター、コンピューター電源ユニット、家電、ゲーム機アダプター、PD充電器などをターゲット市場としています。

また、PANJITのスーパージャンクションMOSFETは、ボディダイオードの優れたdi/dt耐量、最適化されたスイッチング性能を主な特長の1つとしており、卓越したEMI性能を実現できます。PANJITのスーパージャンクションMOSFETの性能面におけるこれらの優位性により、技術者と開発者は、より長寿命で、より優れた動作性能を備えた最終製品モジュールの設計が可能になります。PANJITのスーパージャンクションMOSFETシリーズは、600V～650Vの電圧を開発範囲とし、ITO-220AB-F、TO-220AB-L、TO-252AAの3種類のパッケージから選択でき、次世代電源ユニットの設計に最適なソリューションを提供します。

製品仕様やデータなど、PANJITのスーパージャンクションMOSFETの詳細情報については、以下のリンクからファイルをダウンロードできます。